长江存储首席科学家:我国三维闪存芯片技术实现从落后到赶超

长江存储首席科学家表示,我国三维闪存芯片技术已经实现了从落后到赶超的跨越式发展,随着科技的不断进步和创新,我国在三维闪存芯片领域已经取得了重大突破,不仅在技术性能上有了显著提升,还在产业链整合方面取得了重要进展,这一成就的取得,标志着我国在半导体领域的技术实力不断增强,对于推动国家科技进步和产业升级...

美禁令属于自掘坟墓?ASML发出预警,中国7年前就开始研发光刻机

关于美国和ASML的光刻机问题,美国禁令可能是在自掘坟墓,因为ASML已发出预警,中国在七年前就开始研发光刻机技术,显示中国在半导体制造领域的自主创新能力,这一禁令可能无法阻止中国在半导体领域的进步,反而可能促使中国加速自主研发和生产光刻机的步伐,全球科技产业链的发展不应被单一国家或单一政策所左右,...